Flash 閃存是非易失存儲(chǔ)器，可以對(duì)稱為塊的存儲(chǔ)器單元塊進(jìn)行擦寫和再編程。任何Flash 器件的寫入操作都只能在空或已擦除的單元內(nèi)進(jìn)行，所以大多數(shù)情況下，在進(jìn)行寫入操作之前必須先執(zhí)行擦除。NAND器件執(zhí)行擦除操作是十分簡(jiǎn)單的，而NOR則要求在進(jìn)行擦除前先要將目標(biāo)塊內(nèi)所有的位都寫為0。

        執(zhí)行擦除時(shí)塊尺寸的不同進(jìn)一步拉大了NOR和NAND之間的性能差距，統(tǒng)計(jì)表明，對(duì)于給定的一套寫入操作(尤其是更新小文件時(shí))，更多的擦除操作必須在基于NOR的單元中進(jìn)行。這樣，當(dāng)選擇存儲(chǔ)解決方案時(shí)，用戶必須權(quán)衡以下因素：

NOR Flash支持隨機(jī)訪問，所以支持XIP(execute In Place)，NAND Flash需要按塊進(jìn)行讀取，所以不支持XIP 

NAND FLASH理論讀取速度與NOR Flash相近，實(shí)際情況會(huì)根據(jù)接口不同有些差異

NOR 與 NAND 寫入前都需要先擦除，NOR在擦除時(shí)以64～128KB的塊進(jìn)行，執(zhí)行一個(gè)寫入/擦除操作的時(shí)間約5s，NAND在擦除時(shí)以8～32KB的塊進(jìn)行，執(zhí)行一個(gè)寫入/擦除操作的時(shí)間約4ms

NAND 理論最大擦除次數(shù)比NOR多

NOR 驅(qū)動(dòng)比NAND簡(jiǎn)單，NAND FLASH需要通過專門的NFI（NAND FLASH Interface）與Host端進(jìn)行通信，驅(qū)動(dòng)相對(duì)復(fù)雜

所有Flash 都會(huì)有位反轉(zhuǎn)的問題，NAND 位反轉(zhuǎn)概率要比NOR高，NAND Flash 必須要使用ECC

NAND的單元尺寸幾乎是NOR器件的一半，所以NAND成本更低



   NOR 與 NAND 各有特點(diǎn)，應(yīng)用場(chǎng)景與應(yīng)用難度也不同，一般來講，NOR適用于小容量、略低速且需要直接對(duì)地址塊進(jìn)行操作的應(yīng)用，而NADN則適用于大容量的高速應(yīng)用。SD NAND 在保留了NAND架構(gòu)優(yōu)質(zhì)特性的同時(shí)改進(jìn)了不足之處，內(nèi)置的控制器能自行管理NAND Flash，無需在外部處理ECC和進(jìn)行壞塊管理，免去了MTD層，不需要寫繁瑣的驅(qū)動(dòng)代碼。